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        東京工業大學研發BBCube可堆疊內存 比HBM2E快4倍

        來源:中關村在線 時間:2023-07-08 06:11:36


        【資料圖】

        東京工業大學的科研團隊近日研發出一種名為BBCube的可堆疊內存,其傳輸速度是現有的HBM2E內存的4倍,而功耗僅為其五分之一。這一新型內存的最大特點在于,它摒棄了傳統內存的逐層焊接晶體布局。 該團隊在2023年6月舉行的VLSI IEEE Symposium 2023大會上,不僅提出了這一新概念,還詳細描述了生產這種存儲器的技術流程。 高帶寬存儲器(HBM)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合,如圖形處理器、網絡交換及轉發設備等。然而,現有的HBM內存生產方法限制了其功能,堆疊中的每一層(DRAM芯片)不能制造得比特定規格更薄,且層之間的球接觸數量不能增加超過特定值,否則存在機械損壞和短路的風險。 為了解決這一問題,科研團隊提出在DRAM封裝過程中去除球接觸,這樣可以讓芯片變得更薄,降低每一層的機械應力,縮短TSV的過孔線。 研究團隊負責人Takayuki Ohba教授表示:“BBCube 3D有潛力實現每秒1.6TB的吞吐量,比DDR5快30倍,比HBM2E快四倍?!睂τ谶@一新型內存的詳細信息,感興趣的讀者可以查閱相關論文進行深入了解。

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